| 型号：IDT70V659S10BF | 类别：存储器 | 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 封装：208-LFBGA | 描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA | |
详细参数
| 类别 | 存储器 |
|---|---|
| 描述 | IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA |
| 系列 | - |
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 格式_存储器 | RAM |
| 存储器类型 | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量 | 4.5M（128K x 36） |
| 速度 | 10ns |
| 接口 | 并联 |
| 电压_电源 | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳 | 208-LFBGA |
| 供应商器件封装 | 208-CABGA（15x15） |
| 包装 | 托盘 |
供应商
| HECC GROUP CO，LIMITED | 蔡小姐/吴小姐/钱先生/朱先生086-755-88608527（高端电子元件渠道商）/83950895/83950890 |
| HECC GROUP CO，LIMITED | 朱先生086-755-83950890（高端元件渠道商）/83950019/83950895 |
| HECC GROUP CO，LIMITED | Sante Zhang/Mollie086-755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890 |
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| 深圳市中新永盛科技有限公司 | 朱0755- 83211840 83242762 |
| 深圳市昌和盛利电子有限公司 | 朱生/李小姐0755-83679110 0755-23125986 |
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